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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料													Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																															包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	晶体管应用	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)
BSS87L6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4	6000@10V	汽车	表面贴装	1.5	2.5	4.5	3	Tab	SOT	SOT-89	Flat	1	Compliant					Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	240	±20	0.26	3.7@10V	3.7	77.5@25V	1000	27.3	3.5	17.6	3.7	-55	150	卷带			Obsolete			150 °C	-55 °C								4			单排双泄		1 W				260 mA		20 V					N
IPC302N15N3X1SA2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4	100	1		100@10V	0.25	4.5	6.7	3	Die							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS 3	Enhancement	1	150				Obsolete												3			Single													N
BSS131L6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	240	±20	0.11	14000@10V		2.1@10V	2.1	58@25V	360	64.5	3.1	13.7	3.3	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
AUIRLR2908TR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	28@10V	20	[email protected]	1890@25V	120000	55	95	36	12	-55	175	汽车	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	,	175 °C	有	AUIRLR2908TR	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.16					Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	80	±16	2.5	39	200	卷带			Obsolete							FET 通用电源				unknown	3			Single					N-CHANNEL				30 A				N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	120 W
IPB048N06LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	24	25	98	18	-55	175	表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20		100	4.4@10V	169@10V	169	5700@30V	300000	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPB023N04NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	表面贴装	4.57(Max)	9.45(Max)	10.31(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	40	±20	90	2.3@10V		90@10V	90	7300@20V	167000	7.8	6.6	40	27	卷带			Obsolete												3			Single													N
BSS308PEL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	2	80@10V		5@10V	5	376@15V	500	2.8	7.7	15.3	5.6	-55	卷带			Obsolete												3			Single													P
IPD105N04LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	40	±20	40	10.5@10V		[email protected]\|18@10V	18	1400@20V	42000	2.8	2.4	16	3.7	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPD038N04NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	40	±20	90	3.8@10V		42@10V	42	3400@20V	94000	5.2	4.2	20	17	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPB041N04NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	表面贴装	4.57(Max)	9.45(Max)	10.31(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							Compliant	±20	80	4.1@10V	40	1	Enhancement	OptiMOS	功率MOSFET	无	无	EAR99		42@10V	42	3400@20V	94000	4.8	3.8	23	16	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPD90N06S3L-07	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	±16	90	7.4@10V		90@10V	90	6500@25V	107000	44	42	43	17	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	未说明	175 °C	有	IPD90N06S3L-07	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.76	TO-252	90 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55				Obsolete	EAR99				LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW RESISTANCE		FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	unknown	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN		N-CHANNEL		TO-252		90 A	0.0074 Ω	360 A	55 V	N	210 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	107 W
IPB260N06N3GXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	表面贴装	4.57(Max)	9.45(Max)	10.31(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	27	25.7@10V		11@10V	11	920@30V	36000	3	3	13	12	卷带			Obsolete												3			Single													N
BSS84PL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	60	±20	2	0.17		8000@10V	1@10V	1	0.3	0.25	10	15@25V	6	360	20.5	16.2	8.6	6.7	-55	150	汽车	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	小概要	PLASTIC/EPOXY	BSS84PL6327XT	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.73	0.17 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	卷带			Obsolete					逻辑电平兼容			DUAL	鸥翼		compliant	3	R-PDSO-G3		Single	增强型MOSFET				P-CHANNEL					8 Ω		60 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		3 pF
IPD90N06S3L-05	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	5@10V		128@10V	128	9400@25V	136000	98	57	68	20	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	有	IPD90N06S3L-05	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.64	TO-252AA	90 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±16	90		e3		Obsolete	EAR99	哑光锡			ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	8541.29.00.95		SINGLE	鸥翼		unknown	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN		N-CHANNEL		TO-252AA			0.005 Ω	360 A	55 V	N	250 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPP08CN10LGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	100	±20	98	8@10V		90@10V	90	6470@50V	167000	7	10	51	18	-55	Tube			Obsolete												3			Single													N
IPD088N04LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	40	±20	50	8.8@10V		[email protected]\|21@10V	21	1600@20V	47000	3.2	2.8	18	4.4	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
IRF3711ZCSPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	Enhancement	1	20	±20		92	6@10V	[email protected]	2150@10V	79000	5.4	16	15	12	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF3711ZCSPBF	30 A	5.65	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	Obsolete	1	International Rectifier	RECTANGULAR				符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET		e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier					FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	not_compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL				92 A	0.006 Ω	380 A	20 V	N	130 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	79 W
BSS315PL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150@10V	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	1.5	2.3@5V	212@15V	500	7.5	6.5	14.3	5	-55	150	汽车	表面贴装	1(Max)	卷带			Obsolete												3			Single													P
IPP065N06LGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	TO-220	TO-220AB	通孔							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	80	6.5@10V		118@10V	118	3800@30V	250000	20	21	60	11	Tube			Obsolete												3			Single													N
IPI26CN10NGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26@10V	10	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔							符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	100	±20	35	23@10V	23	1560@50V	71000	3	4	13	Tube			Obsolete												3			Single													N
IRF1104STRRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	114	28	15	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing						符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20		100	9@10V	93(Max)@10V	93(Max)	2900@25V	2400	19	卷带			Obsolete												3			Single													N
IRF4104STRLPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	130	38	16	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing						符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20		120	5.5@10V	68@10V	68	3000@25V	140000	77	卷带			Obsolete												3			Single													N
IRF7413QPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	8	SILICON	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	3	13		11@10V	52@10V	52	16	6.1	200	1800@25V	680	2500	46	50	52	8.6	-55	150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF7413QPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.08	SOIC	13 A			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	8541.29.00.95	FET 通用电源	DUAL	鸥翼	260	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	单四漏三源	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL		MS-012AA		13 A	0.011 Ω	58 A	30 V	N	260 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2.5 W
IRF6218STRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	150	±20	27	150@10V		71@10V	71	2210@25V	250000	30	70	35	21	卷带			Obsolete												3			Single													P
IRF7452QPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	8	SILICON	4.5	60@10V		33@10V	33	930@25V	2500	13	11	16	9.5	-55	150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing	LEAD FREE, SOP-8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF7452QPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.12	SOIC	4.5 A			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±30		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	8541.29.00.95	FET 通用电源	DUAL	鸥翼	260	unknown	8	R-PDSO-G8	不合格	单四漏三源	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL		MS-012AA		4.5 A	0.06 Ω	36 A	100 V	N	200 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2.5 W